0 0 0
  8. 2N7002PW,115

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002PW,115

 
2N7002PW,115
 
NEXPERIA
Артикул: 478736
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.79 грн
100+
3.77 грн
330+
3.00 грн
900+
2.83 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 8850 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575) SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,24А(1717563)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,26Вт(1790297)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,8нC(1642903)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002PW,115
NEXPERIA
Артикул: 478736
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.79 грн
100+
3.77 грн
330+
3.00 грн
900+
2.83 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 8850 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,24А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,26Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,8нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g