0 0 0
  8. BSH203,215

Транзисторы с каналом P SMD BSH203,215

 
BSH203,215
 
NEXPERIA
Артикул: 140509
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
10.97 грн
25+
9.74 грн
100+
8.58 грн
120+
8.35 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3780 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-0,3А(1639606)
Сопротивление в открытом состоянии
1,65Ом(1642936)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,17Вт(1742116)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
2,2нC(1609813)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом P SMD BSH203,215
NEXPERIA
Артикул: 140509
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
10.97 грн
25+
9.74 грн
100+
8.58 грн
120+
8.35 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3780 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,65Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,17Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
2,2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g