0 0 0
  8. BUK6607-55C,118

Транзисторы с каналом N SMD BUK6607-55C,118

 
BUK6607-55C,118
 
NEXPERIA
Артикул: 497513
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.47 грн
5+
95.34 грн
14+
73.89 грн
37+
69.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
74А(1492305)
Сопротивление в открытом состоянии
14,3мОм(1479319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
158Вт(1741979)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
420А(1862745)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK6607-55C,118
NEXPERIA
Артикул: 497513
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.47 грн
5+
95.34 грн
14+
73.89 грн
37+
69.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
74А
Сопротивление в открытом состоянии
14,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
158Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
43нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
420А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g