Транзисторы с каналом P SMD BUK6Y19-30PX

 
BUK6Y19-30PX
 
Артикул: 622769
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -32А; Idm: -181А; 66Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.09 грн
10+
51.12 грн
23+
44.20 грн
63+
41.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-32А(1643119)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
66Вт(1740777)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-181А(1936875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD BUK6Y19-30PX
NEXPERIA
Артикул: 622769
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -32А; Idm: -181А; 66Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.09 грн
10+
51.12 грн
23+
44.20 грн
63+
41.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-32А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
66Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
35нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-181А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g