0 0 0
  8. BUK763R8-80E,118

Транзисторы с каналом N SMD BUK763R8-80E,118

 
BUK763R8-80E,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600708
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 778А; 349Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
291.20 грн
5+
206.99 грн
14+
195.18 грн
800+
193.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм(1479463)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
349Вт(1741794)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
169нC(1776129)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
778А(1918342)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,92 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK763R8-80E,118
NEXPERIA
Артикул: 600708
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 778А; 349Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
291.20 грн
5+
206.99 грн
14+
195.18 грн
800+
193.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
349Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
169нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
778А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,92 g