0 0 0
  8. BUK768R1-100E,118

Транзисторы с каналом N SMD BUK768R1-100E,118

 
BUK768R1-100E,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600775
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 78А; Idm: 439А; 263Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.13 грн
5+
169.87 грн
8+
130.18 грн
22+
123.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
78А(1479434)
Сопротивление в открытом состоянии
21,9мОм(1918343)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
263Вт(1742106)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
108нC(1479604)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
439А(1862746)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK768R1-100E,118
NEXPERIA
Артикул: 600775
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 78А; Idm: 439А; 263Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.13 грн
5+
169.87 грн
8+
130.18 грн
22+
123.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
78А
Сопротивление в открытом состоянии
21,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
263Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
108нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
439А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g