0 0 0
  8. BUK768R3-60E,118

Транзисторы с каналом N SMD BUK768R3-60E,118

 
BUK768R3-60E,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600350
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 61,5А; Idm: 349А; 137Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
121.59 грн
5+
109.67 грн
12+
90.84 грн
31+
85.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
61,5А(1936758)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
137Вт(1740759)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
43,1нC(1782763)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
349А(1936759)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK768R3-60E,118
NEXPERIA
Артикул: 600350
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 61,5А; Idm: 349А; 137Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
121.59 грн
5+
109.67 грн
12+
90.84 грн
31+
85.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
61,5А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
137Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
43,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
349А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g