Транзисторы с каналом N THT BUK7E3R5-60E,127

 
BUK7E3R5-60E,127
 
Артикул: 606222
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 785А; 293Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.06 грн
3+
131.77 грн
10+
103.19 грн
27+
97.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
I2PAK(1600260) SOT226(1801480)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
7,6мОм(1599496)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
293Вт(1918336)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
114нC(1609968)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
785А(1918335)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT BUK7E3R5-60E,127
NEXPERIA
Артикул: 606222
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 785А; 293Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.06 грн
3+
131.77 грн
10+
103.19 грн
27+
97.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
I2PAK
Корпус
SOT226
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
7,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
293Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
114нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
785А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g