Транзисторы с каналом N SMD BUK7Y102-100B,115

 
BUK7Y102-100B,115
 
Артикул: 600418
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10,6А; Idm: 60А; 60Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.75 грн
5+
39.18 грн
25+
35.29 грн
33+
30.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
10,6А(1602401)
Сопротивление в открытом состоянии
265мОм(1633323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12,2нC(1479132)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK7Y102-100B,115
NEXPERIA
Артикул: 600418
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10,6А; Idm: 60А; 60Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.75 грн
5+
39.18 грн
25+
35.29 грн
33+
30.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
10,6А
Сопротивление в открытом состоянии
265мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g