0 0 0
  8. BUK7Y9R9-80EX

Транзисторы с каналом N SMD BUK7Y9R9-80EX

 
BUK7Y9R9-80EX
 
NEXPERIA
Артикул: 600667
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 63А; Idm: 354А; 195Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.74 грн
10+
89.65 грн
14+
72.21 грн
38+
68.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
63А(1479411)
Сопротивление в открытом состоянии
24,9мОм(1936800)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
195Вт(1741754)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
51,6нC(1936801)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
354А(1936799)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK7Y9R9-80EX
NEXPERIA
Артикул: 600667
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 63А; Idm: 354А; 195Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.74 грн
10+
89.65 грн
14+
72.21 грн
38+
68.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
63А
Сопротивление в открытом состоянии
24,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
195Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
51,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
354А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g