0 0 0
  8. BUK9608-55B,118

Транзисторы с каналом N SMD BUK9608-55B,118

 
BUK9608-55B,118
 
NEXPERIA
Артикул: 497514
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; Idm: 439А; 203Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.10 грн
5+
124.42 грн
11+
95.82 грн
29+
90.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
16,8мОм(1744091)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
203Вт(1814620)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
439А(1862746)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK9608-55B,118
NEXPERIA
Артикул: 497514
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; Idm: 439А; 203Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.10 грн
5+
124.42 грн
11+
95.82 грн
29+
90.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
16,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
203Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
439А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g