0 0 0
  8. BUK9M5R2-30EX

Транзисторы с каналом N SMD BUK9M5R2-30EX

 
BUK9M5R2-30EX
 
NEXPERIA
Артикул: 600349
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 63А; Idm: 358А; 79Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.96 грн
5+
52.70 грн
23+
43.84 грн
62+
41.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK33(1633650) SOT1210(1801476)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
63А(1479411)
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм(1599498)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
79Вт(1740747)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22,5нC(1936830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
358А(1936829)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK9M5R2-30EX
NEXPERIA
Артикул: 600349
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 63А; Idm: 358А; 79Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.96 грн
5+
52.70 грн
23+
43.84 грн
62+
41.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK33
Корпус
SOT1210
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
63А
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
79Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
358А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g