0 0 0
  8. BUK9Y19-75B,115

Транзисторы с каналом N SMD BUK9Y19-75B,115

 
BUK9Y19-75B,115
 
NEXPERIA
Артикул: 600564
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.35 грн
5+
73.37 грн
17+
58.22 грн
47+
55.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1384 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
34,1А(1929898)
Сопротивление в открытом состоянии
48мОм(1441527)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
106Вт(1520842)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
192А(1758519)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,128 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BUK9Y19-75B,115
NEXPERIA
Артикул: 600564
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.35 грн
5+
73.37 грн
17+
58.22 грн
47+
55.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1384 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
34,1А
Сопротивление в открытом состоянии
48мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
106Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
192А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,128 g