0 0 0
  8. GAN041-650WSBQ

Транзисторы с каналом N THT GAN041-650WSBQ

 
GAN041-650WSBQ
 
NEXPERIA
Артикул: 515651
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 098.22 грн
3+
1 037.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 21 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138) SOT429(1440944)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
33,4А(1880360)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
187Вт(1740760)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Технология
GaN(1742486)
Вид транзистора
каскодный(1670264) HEMT(1880396)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,135 g
 
Транзисторы с каналом N THT GAN041-650WSBQ
NEXPERIA
Артикул: 515651
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 098.22 грн
3+
1 037.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 21 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Корпус
SOT429
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
33,4А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
187Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22нC
Технология
GaN
Вид транзистора
каскодный
Вид транзистора
HEMT
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,135 g