0 0 0
  8. NX7002BKMBYL

Транзисторы с каналом N SMD NX7002BKMBYL

 
NX7002BKMBYL
 
NEXPERIA
Артикул: 600693
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,9А; 0,68Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.48 грн
100+
4.01 грн
330+
3.08 грн
905+
2.91 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 9410 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT883B(1880241) DFN1006B-3(1921464)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом(1642910)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,68Вт(1921463)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1нC(1609788)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,9А(1851127)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,006 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NX7002BKMBYL
NEXPERIA
Артикул: 600693
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,9А; 0,68Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.48 грн
100+
4.01 грн
330+
3.08 грн
905+
2.91 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 9410 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT883B
Корпус
DFN1006B-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,68Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,006 g