0 0 0
  8. NX7002BKR

Транзисторы с каналом N SMD NX7002BKR

 
NX7002BKR
 
NEXPERIA
Артикул: 386918
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.73 грн
100+
2.57 грн
500+
2.32 грн
550+
1.85 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 255 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,17А(1644068)
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом(1642910)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
1нC(1609788)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
0,9А(1851127)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NX7002BKR
NEXPERIA
Артикул: 386918
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.73 грн
100+
2.57 грн
500+
2.32 грн
550+
1.85 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 255 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,17А
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g