Транзисторы с каналом N SMD NX7002BKSX

 
NX7002BKSX
 
Артикул: 386919
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
5.18 грн
100+
4.67 грн
246+
4.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1309 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC88(1492436) TSSOP6(1635668)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,15А(1645009)
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом(1642910)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
1нC(1609788)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NX7002BKSX
NEXPERIA
Артикул: 386919
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
5.18 грн
100+
4.67 грн
246+
4.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1309 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC88
Корпус
TSSOP6
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,15А
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g