0 0 0
  8. NXV65UPR

Транзисторы с каналом P SMD NXV65UPR

 
NXV65UPR
 
NEXPERIA
Артикул: 725812
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
6.51 грн
100+
5.71 грн
190+
5.43 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,3А(1636485)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,34Вт(1805617)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,8нC(1712709)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-8,4А(1888055)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NXV65UPR
NEXPERIA
Артикул: 725812
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
6.51 грн
100+
5.71 грн
190+
5.43 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,34Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,8нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-8,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g