0 0 0
  8. NXV90EPR

Транзисторы с каналом P SMD NXV90EPR

 
NXV90EPR
 
NEXPERIA
Артикул: 725811
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
8.49 грн
100+
7.54 грн
145+
7.04 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-1А(1492341)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,34Вт(1805617)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,2нC(1634355)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6А(1810531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NXV90EPR
NEXPERIA
Артикул: 725811
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
8.49 грн
100+
7.54 грн
145+
7.04 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,34Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,2нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g