0 0 0
  8. PHB27NQ10T,118

Транзисторы с каналом N SMD PHB27NQ10T,118

 
PHB27NQ10T,118
 
NEXPERIA
Артикул: 483744
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 112А; 107Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.01 грн
5+
77.07 грн
17+
58.79 грн
47+
55.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
107Вт(1708595)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
112А(1812410)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PHB27NQ10T,118
NEXPERIA
Артикул: 483744
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 112А; 107Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.01 грн
5+
77.07 грн
17+
58.79 грн
47+
55.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
107Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
112А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g