0 0 0
  8. PHB32N06LT,118

Транзисторы с каналом N SMD PHB32N06LT,118

 
PHB32N06LT,118
 
NEXPERIA
Артикул: 483745
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.34 грн
5+
82.63 грн
15+
69.12 грн
40+
65.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 591 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
97Вт(1740749)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
136А(1790443)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,82 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PHB32N06LT,118
NEXPERIA
Артикул: 483745
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.34 грн
5+
82.63 грн
15+
69.12 грн
40+
65.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 591 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
97Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
136А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,82 g