0 0 0
  7. PMEG200G10ELRX

Универсальные диоды SMD PMEG200G10ELRX

 
PMEG200G10ELRX
 
NEXPERIA
Артикул: 516213
Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 1А; 34нс; SOD123W; Ufmax: 0,805В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.70 грн
25+
12.20 грн
100+
10.85 грн
102+
9.83 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1530 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD123W(1602462)
Обратное напряжение макс.
200В(1439532)
Падение напряжения макс.
0,805В(1880419)
Прямой ток
1А(1439523)
Конструкция диода
одиночный диод(1612600)
Время готовности
34нс(1758375)
Импульсный ток
40А(1440567)
Ток утечки
30нА(1501441)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
выпрямительный(1439519)
Характеристики полупроводниковых элементов
silicon germanium diode (SiGe)(1880400)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Универсальные диоды SMD PMEG200G10ELRX
NEXPERIA
Артикул: 516213
Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 1А; 34нс; SOD123W; Ufmax: 0,805В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.70 грн
25+
12.20 грн
100+
10.85 грн
102+
9.83 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1530 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOD123W
Обратное напряжение макс.
200В
Падение напряжения макс.
0,805В
Прямой ток
1А
Конструкция диода
одиночный диод
Время готовности
34нс
Импульсный ток
40А
Ток утечки
30нА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
выпрямительный
Характеристики полупроводниковых элементов
silicon germanium diode (SiGe)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g