0 0 0
  8. PMGD175XNEX

Транзисторы с каналом N SMD PMGD175XNEX

 
PMGD175XNEX
 
NEXPERIA
Артикул: 386922
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 4А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
30.16 грн
10+
23.26 грн
50+
16.59 грн
94+
10.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC88(1492436) TSSOP6(1635668)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
411мОм(1801422)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,65нC(1801419)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
4А(1709876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMGD175XNEX
NEXPERIA
Артикул: 386922
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 4А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
30.16 грн
10+
23.26 грн
50+
16.59 грн
94+
10.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC88
Корпус
TSSOP6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
411мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,65нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g