0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. PMGD780SN,115

Транзисторы многоканальные PMGD780SN,115

 
PMGD780SN,115
 
NEXPERIA
Артикул: 000307
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
21.03 грн
10+
15.92 грн
25+
13.24 грн
100+
11.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2996 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC88(1492436) TSSOP6(1635668)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,31А(1643335)
Сопротивление в открытом состоянии
1,7Ом(1502513)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,41Вт(1701890)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,05нC(1642934)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные PMGD780SN,115
Транзисторы многоканальные PMGD780SN,115
NEXPERIA
Артикул: 000307
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
21.03 грн
10+
15.92 грн
25+
13.24 грн
100+
11.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2996 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC88
Корпус
TSSOP6
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,31А
Сопротивление в открытом состоянии
1,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,41Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,05нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g