0 0 0
  8. PMPB19XP,115

Транзисторы с каналом P SMD PMPB19XP,115

 
PMPB19XP,115
 
NEXPERIA
Артикул: 515854
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
30.77 грн
10+
23.59 грн
71+
14.24 грн
194+
13.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020MD-6(1801473) SOT1220(1801474)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
43,2нC(1823950)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PMPB19XP,115
NEXPERIA
Артикул: 515854
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
30.77 грн
10+
23.59 грн
71+
14.24 грн
194+
13.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020MD-6
Корпус
SOT1220
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
43,2нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g