0 0 0
  8. PMT560ENEAX

Транзисторы с каналом N SMD PMT560ENEAX

 
PMT560ENEAX
 
NEXPERIA
Артикул: 386926
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 700мА; Idm: 4,4А; SC73,SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.08 грн
25+
14.99 грн
94+
10.52 грн
258+
9.94 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831) SC73(1801365)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,7А(1632946)
Сопротивление в открытом состоянии
1,62Ом(1801424)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
4,4нC(1609911)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
4,4А(1801423)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMT560ENEAX
NEXPERIA
Артикул: 386926
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 700мА; Idm: 4,4А; SC73,SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.08 грн
25+
14.99 грн
94+
10.52 грн
258+
9.94 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Корпус
SC73
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,62Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
4,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g