0 0 0
  8. PMV120ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV120ENEAR

 
PMV120ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386928
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; Idm: 8,3А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
20.66 грн
50+
15.50 грн
98+
10.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,3А(1492332)
Сопротивление в открытом состоянии
246мОм(1801426)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
7,4нC(1479204)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
8,3А(1801425)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV120ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386928
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; Idm: 8,3А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
20.66 грн
50+
15.50 грн
98+
10.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
246мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
7,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8,3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g