0 0 0
  8. PMV130ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV130ENEAR

 
PMV130ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386929
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 1,5А; Idm: 8А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.87 грн
25+
11.13 грн
100+
10.01 грн
120+
8.33 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 366 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
1,5А(1492350)
Сопротивление в открытом состоянии
233мОм(1801427)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
3,6нC(1609779)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV130ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386929
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 1,5А; Idm: 8А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.87 грн
25+
11.13 грн
100+
10.01 грн
120+
8.33 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 366 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
233мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
3,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g