0 0 0
  8. PMV213SN,215

Транзисторы с каналом N SMD PMV213SN,215

 
PMV213SN,215
 
NEXPERIA
Артикул: 562626
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,2А; Idm: 7,6А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
15.89 грн
10+
15.41 грн
25+
14.30 грн
84+
11.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 6240 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1,2А(1479094)
Сопротивление в открытом состоянии
575мОм(1642924)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
7,6А(1785363)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV213SN,215
NEXPERIA
Артикул: 562626
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,2А; Idm: 7,6А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
15.89 грн
10+
15.41 грн
25+
14.30 грн
84+
11.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 6240 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
575мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
7,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g