0 0 0
  8. PMV230ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV230ENEAR

 
PMV230ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386931
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 900мА; Idm: 5,9А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.19 грн
25+
7.87 грн
100+
7.07 грн
170+
5.86 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,9А(1633430)
Сопротивление в открытом состоянии
441мОм(1801429)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
4,8нC(1479318)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
5,9А(1801428)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV230ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386931
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 900мА; Idm: 5,9А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.19 грн
25+
7.87 грн
100+
7.07 грн
170+
5.86 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,9А
Сопротивление в открытом состоянии
441мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
4,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
5,9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g