0 0 0
  8. PMV25ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV25ENEAR

 
PMV25ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386932
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 22А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.87 грн
10+
23.99 грн
90+
11.09 грн
248+
10.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
3,5А(1441257)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
22А(1801380)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV25ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386932
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 22А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.87 грн
10+
23.99 грн
90+
11.09 грн
248+
10.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
18нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
22А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g