0 0 0
  8. PMV280ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV280ENEAR

 
PMV280ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386933
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 800мА; Idm: 5А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.79 грн
10+
24.87 грн
25+
19.63 грн
50+
15.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 834 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,8А(1635013)
Сопротивление в открытом состоянии
1078мОм(1801430)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
6,8нC(1479391)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
5А(1790204)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV280ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386933
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 800мА; Idm: 5А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.79 грн
10+
24.87 грн
25+
19.63 грн
50+
15.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 834 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,8А
Сопротивление в открытом состоянии
1078мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
6,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g