0 0 0
  8. PMV55ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV55ENEAR

 
PMV55ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 478176
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 12,6А; 8,36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
20.26 грн
50+
15.34 грн
98+
10.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
8,36Вт(1846336)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
19нC(1479054)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12,6А(1846335)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV55ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 478176
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 12,6А; 8,36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
20.26 грн
50+
15.34 грн
98+
10.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
8,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
19нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g