0 0 0
  8. PMV65ENEAR

Транзисторы с каналом N SMD PMV65ENEAR

 
PMV65ENEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386935
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 1,7А; Idm: 11А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.56 грн
10+
27.90 грн
80+
12.48 грн
219+
11.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
1,7А(1441494)
Сопротивление в открытом состоянии
136мОм(1636392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
11А(1801431)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV65ENEAR
NEXPERIA
Артикул: 386935
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 1,7А; Idm: 11А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.56 грн
10+
27.90 грн
80+
12.48 грн
219+
11.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
136мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
11А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g