0 0 0
  8. PMV90ENER

Транзисторы с каналом N SMD PMV90ENER

 
PMV90ENER
 
NEXPERIA
Артикул: 386937
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,9А; Idm: 12А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.45 грн
25+
8.25 грн
100+
7.46 грн
158+
6.39 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1119 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
1,9А(1479102)
Сопротивление в открытом состоянии
0,118Ом(1790183)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
5,5нC(1609920)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PMV90ENER
NEXPERIA
Артикул: 386937
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,9А; Idm: 12А; SOT23,TO236AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.45 грн
25+
8.25 грн
100+
7.46 грн
158+
6.39 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1119 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
1,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,118Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
5,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g