0 0 0
  8. PMZ350UPEYL

Транзисторы с каналом P SMD PMZ350UPEYL

 
PMZ350UPEYL
 
NEXPERIA
Артикул: 386992
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.75 грн
25+
5.65 грн
100+
5.09 грн
249+
4.06 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 9835 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-3(1789163) SOT883(1801484)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-700мА(1479086)
Сопротивление в открытом состоянии
645мОм(1801472)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,9нC(1479079)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А(1801471)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PMZ350UPEYL
NEXPERIA
Артикул: 386992
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.75 грн
25+
5.65 грн
100+
5.09 грн
249+
4.06 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 9835 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-3
Корпус
SOT883
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-700мА
Сопротивление в открытом состоянии
645мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,9нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g