0 0 0
  8. PSMN011-80YS,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN011-80YS,115

 
PSMN011-80YS,115
 
NEXPERIA
Артикул: 478177
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.55 грн
5+
83.43 грн
16+
64.36 грн
43+
61.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
47А(1479369)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
117Вт(1702081)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
266А(1846337)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN011-80YS,115
NEXPERIA
Артикул: 478177
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.55 грн
5+
83.43 грн
16+
64.36 грн
43+
61.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
47А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
117Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
266А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g