0 0 0
  8. PSMN016-100YS,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN016-100YS,115

 
PSMN016-100YS,115
 
NEXPERIA
Артикул: 600519
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 51А; Idm: 204А; 117Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.39 грн
5+
81.67 грн
16+
64.38 грн
43+
60.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
51А(1479374)
Сопротивление в открытом состоянии
12,7мОм(1479170)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
117Вт(1702081)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
54нC(1479413)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
204А(1758615)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN016-100YS,115
NEXPERIA
Артикул: 600519
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 51А; Idm: 204А; 117Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.39 грн
5+
81.67 грн
16+
64.38 грн
43+
60.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
51А
Сопротивление в открытом состоянии
12,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
117Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
54нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
204А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g