0 0 0
  8. PSMN019-100YLX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN019-100YLX

 
PSMN019-100YLX
 
NEXPERIA
Артикул: 778327
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 40А; Idm: 226А; 167Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
72.06 грн
5+
64.32 грн
19+
51.92 грн
51+
48.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
52,4мОм(1959948)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
724нC(1959949)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
226А(1959947)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN019-100YLX
NEXPERIA
Артикул: 778327
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 40А; Idm: 226А; 167Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
72.06 грн
5+
64.32 грн
19+
51.92 грн
51+
48.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
52,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
167Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
724нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
226А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g