0 0 0
  8. PSMN038-100YLX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN038-100YLX

 
PSMN038-100YLX
 
NEXPERIA
Артикул: 386941
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.49 грн
5+
46.00 грн
25+
41.29 грн
30+
34.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1418 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
21,3А(1602415)
Сопротивление в открытом состоянии
103,5мОм(1801438)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
94,9Вт(1801437)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
39,2нC(1642916)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,093 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN038-100YLX
NEXPERIA
Артикул: 386941
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.49 грн
5+
46.00 грн
25+
41.29 грн
30+
34.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1418 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
21,3А
Сопротивление в открытом состоянии
103,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
94,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
39,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,093 g