Транзисторы с каналом N SMD PSMN0R9-25YLDX

 
PSMN0R9-25YLDX
 
Артикул: 778440
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 25В; 285А; Idm: 1614А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
171.57 грн
5+
154.26 грн
9+
123.56 грн
23+
117.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
285А(1612560)
Сопротивление в открытом состоянии
2,04мОм(1959951)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
238Вт(1742101)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
89,8нC(1959952)
Технология
NextPowerS3(1899360)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1614А(1959950)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN0R9-25YLDX
NEXPERIA
Артикул: 778440
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 25В; 285А; Idm: 1614А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
171.57 грн
5+
154.26 грн
9+
123.56 грн
23+
117.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
285А
Сопротивление в открытом состоянии
2,04мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
238Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
89,8нC
Технология
NextPowerS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1614А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g