0 0 0
  8. PSMN0R9-30ULDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN0R9-30ULDX

 
PSMN0R9-30ULDX
 
NEXPERIA
Артикул: 778281
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 30В; 284А; Idm: 1592А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.88 грн
5+
170.00 грн
8+
136.15 грн
21+
129.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT1023A(1960177)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
284А(1801439)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
227Вт(1741842)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
109нC(1757721)
Технология
NextPowerS3(1899360)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1592А(1959937)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN0R9-30ULDX
NEXPERIA
Артикул: 778281
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 30В; 284А; Idm: 1592А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.88 грн
5+
170.00 грн
8+
136.15 грн
21+
129.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT1023A
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
284А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
227Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
109нC
Технология
NextPowerS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1592А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g