0 0 0
  8. PSMN0R9-30YLDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN0R9-30YLDX

 
PSMN0R9-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 386942
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
215.64 грн
5+
194.87 грн
7+
156.54 грн
18+
148.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1432 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
284А(1801439)
Сопротивление в открытом состоянии
1,44мОм(1801441)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
291Вт(1801440)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
109нC(1757721)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
1,8кА(1758564)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,147 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN0R9-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 386942
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
215.64 грн
5+
194.87 грн
7+
156.54 грн
18+
148.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1432 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
284А
Сопротивление в открытом состоянии
1,44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
291Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
109нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,8кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,147 g