0 0 0
  8. PSMN1R0-30YLC,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-30YLC,115

 
PSMN1R0-30YLC,115
 
NEXPERIA
Артикул: 289697
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 272Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.02 грн
5+
129.86 грн
10+
103.89 грн
27+
97.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1230 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
1,15мОм(1609982)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
272Вт(1742097)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,13 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-30YLC,115
NEXPERIA
Артикул: 289697
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 272Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.02 грн
5+
129.86 грн
10+
103.89 грн
27+
97.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1230 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
1,15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
272Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
70нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,13 g