0 0 0
  8. PSMN1R0-30YLDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-30YLDX

 
PSMN1R0-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 077333
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 255А; 238Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.29 грн
5+
115.93 грн
11+
92.74 грн
30+
87.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 939 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
255А(1492573)
Сопротивление в открытом состоянии
2,15мОм(1633661)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
238Вт(1742101)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
121,35нC(1633662)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 077333
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 255А; 238Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.29 грн
5+
115.93 грн
11+
92.74 грн
30+
87.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 939 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
255А
Сопротивление в открытом состоянии
2,15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
238Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
121,35нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g