0 0 0
  8. PSMN1R0-40SSHJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-40SSHJ

 
PSMN1R0-40SSHJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778359
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 40В; 293А; Idm: 1659А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
305.61 грн
5+
222.26 грн
13+
210.36 грн
500+
203.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
293А(1479597)
Сопротивление в открытом состоянии
2,2мОм(1501029)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
137нC(1633644)
Технология
NextPowerS3(1899360)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1659А(1936775)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-40SSHJ
NEXPERIA
Артикул: 778359
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 40В; 293А; Idm: 1659А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
305.61 грн
5+
222.26 грн
13+
210.36 грн
500+
203.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
293А
Сопротивление в открытом состоянии
2,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
137нC
Технология
NextPowerS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1659А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g