0 0 0
  8. PSMN1R0-40ULDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-40ULDX

 
PSMN1R0-40ULDX
 
NEXPERIA
Артикул: 778502
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 40В; 198А; Idm: 1168А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
247.91 грн
5+
222.73 грн
6+
178.65 грн
16+
169.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT1023A(1960177)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
198А(1492577)
Сопротивление в открытом состоянии
2,45мОм(1959939)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
164Вт(1741966)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
127нC(1745632)
Технология
NextPowerS3(1899360)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1168А(1959938)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-40ULDX
NEXPERIA
Артикул: 778502
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 40В; 198А; Idm: 1168А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
247.91 грн
5+
222.73 грн
6+
178.65 грн
16+
169.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT1023A
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
198А
Сопротивление в открытом состоянии
2,45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
164Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
127нC
Технология
NextPowerS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1168А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g