0 0 0
  8. PSMN1R0-40YSHX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-40YSHX

 
PSMN1R0-40YSHX
 
NEXPERIA
Артикул: 778320
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 40В; 277А; Idm: 1564А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
275.46 грн
5+
247.12 грн
6+
198.33 грн
14+
188.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
277А(1959987)
Сопротивление в открытом состоянии
2,2мОм(1501029)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
333Вт(1741825)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
122нC(1701221)
Технология
NextPowerS3(1899360)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1564А(1959988)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R0-40YSHX
NEXPERIA
Артикул: 778320
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 40В; 277А; Idm: 1564А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
275.46 грн
5+
247.12 грн
6+
198.33 грн
14+
188.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
277А
Сопротивление в открытом состоянии
2,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
333Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
122нC
Технология
NextPowerS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1564А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g