0 0 0
  8. PSMN1R2-30YLC,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R2-30YLC,115

 
PSMN1R2-30YLC,115
 
NEXPERIA
Артикул: 600526
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1237А; 215Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.38 грн
5+
86.83 грн
15+
68.59 грн
40+
64.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
1,35мОм(1840127)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
215Вт(1741803)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1237А(1933318)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R2-30YLC,115
NEXPERIA
Артикул: 600526
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1237А; 215Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.38 грн
5+
86.83 грн
15+
68.59 грн
40+
64.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
1,35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
215Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
78нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1237А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g