0 0 0
  8. PSMN1R2-30YLDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R2-30YLDX

 
PSMN1R2-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 386944
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
108.08 грн
5+
96.95 грн
13+
77.88 грн
36+
73.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
209А(1479572)
Сопротивление в открытом состоянии
2,05мОм(1801445)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
194Вт(1801444)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
68нC(1479515)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
1181А(1801443)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R2-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 386944
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 209А; Idm: 1181А; 194Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
108.08 грн
5+
96.95 грн
13+
77.88 грн
36+
73.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
209А
Сопротивление в открытом состоянии
2,05мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
194Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
68нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1181А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g